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外部目检检测
(CMA)
(ISO)
(高新技术企业)
信息概要
外部目检检测基于GB/T 2828.1-2012《计数抽样检验程序》标准，该标准于2012年发布并实施，目前为现行有效版本，未公布废止时间。检测内容涵盖产品外观、结构完整性及表面质量等基础项目，适用于制造业成品及半成品的质量控制。
检测项目
表面缺陷, 裂纹, 划痕, 颜色一致性, 尺寸偏差, 装配完整性, 标签清晰度, 包装完整性, 焊接质量, 涂层均匀性, 腐蚀情况, 变形程度, 清洁度, 标识正确性, 材料一致性, 边缘毛刺, 光泽度, 密封性, 结构对称性, 功能性测试
检测范围
金属制品, 塑料制品, 电子元件, 机械设备, 汽车零部件, 陶瓷制品, 玻璃制品, 纺织品, 包装材料, 医疗器械, 家具, 玩具, 建筑材料, 五金工具, 橡胶制品, 光学元件, 体育器材, 厨具, 灯具, 化工容器
检测方法
目视检查法（依据标准要求进行肉眼观察判定）
放大镜检查法（使用5-20倍放大镜识别微观缺陷）
比较样板法（与标准样板对比色差及纹理）
光照角度检查法（多角度光源下检测表面反光异常）
颜色比对卡法（采用Pantone或RAL色卡校准颜色偏差）
尺寸测量法（卡尺、千分尺等工具测量公差范围）
表面粗糙度仪检测法（量化评估表面平整度）
投影仪检测法（二维轮廓放大比对设计图纸）
三坐标测量法（三维空间尺寸精度分析）
金相显微镜检测法（金属材料微观组织观察）
电子显微镜检测法（纳米级表面形貌分析）
硬度计检测法（表面硬度值测试）
涂层测厚仪检测法（非破坏性测量涂层厚度）
气密性检测法（加压或真空环境测试密封性能）
功能性测试法（模拟实际使用验证装配效果）
检测仪器
光学显微镜, 电子显微镜, 三坐标测量机, 表面粗糙度仪, 投影仪, 硬度计, 涂层测厚仪, 气密性检测仪, 光照角度检测仪, 色差仪, 金相显微镜, 尺寸测量仪, 放大镜, 比较样板, 功能性测试台
检测标准
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 2.2
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 0103.2.2 0202.2.2 0208.2.2 0803.2.2u003cbru003e0901.2.2u003cbru003e0902.2.2 u003cbru003e1101.2.2 1102.2.2 1103.2.2 u003cbru003e1003.2.2u003cbru003e1501.2.2
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027A-2006 工作项目0101~1301中2.2条 1401-1.2、1402-1.2、1403-1.2、1501-2.2、1502-2.2、1601-2.2
半导体光电模块总规范 SJ 20642-1997 4.10.11
微波组件通用规范 GJB 8481-2015 4.11.3
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作项目1102 混合集成电路（含多芯片组件）
微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 2009.1
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作项目0204 金属化塑料膜介质电容器
微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 方法2009.1
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法2071
微电子器件试验方法和程序 GJB 548A-1996 方法2009A
《半导体分立器件试验方法》 GJB 128A-97 方法2071
微波组件总规范 SJ 20527-1995 4.8.1
有可靠性指标的固体电解质钽电容器总规范 GJB 63B-2001 3.5
《半导体器件 机械和气候试验方法 第3部分:外部目检》 IEC 60749-3：2002
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 工作项目0103 2.2
军用电子元器件筛选技术要求 GJB 7243-2011 8.5
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 4.3.2
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作项目0102 金属萡固定电阻器
微波组件通用规范 SJ 20527A-2003 4.6.3
《半导体分立器件试验方法》 GJB 128A-1997 方法2071
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作项目1101 密封半导体集成电路
半导体器件光电子器件分规范 GB/T 12565-1990 表1 A1
半导体器件机械和气候试验方法 第3部分：外部目检 GB/T4937.3-2012 第3部分
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006
微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法2009.1
半导体集成电路总规范 GJB597B-2012 附录B
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 工作项目1101 2.2、1102 2.2、1103 2.2、1001 2.2、1002 2.2、1003 2.2
各种质量等级军用半导体器件破坏性物理分析方法 GJB 5914-2006 4.3.2
晶体振荡器通用规范 GJB 1648A-2011 3.5.13.5.2
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作项目0208 片式固体电解质钽电容器
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作项目 0203云母电容器
外部目检 JEDEC JESD22-B101C:2015
《微电子器件试验方法和程序》 GJB 548A-96 方法2009A
微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法2009
纤维光学试验方法 GJB 915A-1997 方法401
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作项目1301 声表面波器件
半导体器件 集成电路 第11部分:半导体集成电路分规范(不包括混合电路) GB/T 12750-2006 IEC 60748-11:1990 7 表4 B5
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作项目1502 玻璃和陶瓷基片型熔断器
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 工作项目0202 2.2
电子、电磁和机电元器件破坏性物理分析 MIL-STD-1580B:2003 10.1.1.1u003cbru003e12.1.1.1 16.1.1.1 16.5.1.1u003cbru003e21.1.1.1
半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法2068
混合集成电路通用规范 GJB 2438B-2017 表C.9
半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法2071
军用电子元器件筛选技术要求 GJB7243-2011 第6部分 表13~表19
微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 2009.1
微电路试验标准方法 MIL-STD-883K:2016 2009.12
半导体分立器件试验方法 GJB128A-97 2071
微电路模块总规范 SJ 20668-1998 表2 鉴定 3组
微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 方法2009
微电路模块总规范 SJ 20668-1998 表1 筛选
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作项目0101 金属膜固定电阻器
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作项目0210 瓷介微调可变电容器
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作项目0207 固体电解质钽电容器
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作项目0701电磁继电器
《半导体分立器件试验方法》 GJB 128A-1997 /方法2071
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作项目1001 无键合引线轴向引线玻璃外壳和玻璃钝化封装二极管
IEC 60748-11:1990 表4 C组 C3
微波组件通用规范 GJB 8481-2015 4.11.3
以上标准仅供参考，如有其他标准需求或者实验方案需求可以咨询工程师
注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试望见谅。
检测须知
1、周期(一般实验需要7-15个工作日，加急一般是5个工作日左右，毒理实验以及降解实验周期可以咨询工程师)
2、费用(免费初检，初检完成以后根据客户的检测需求以及实验的复杂程度进行实验报价)
3、样品量(由于样品以及实验的不同，具体样品量建议先询问工程师)
4、标准(您可以推荐标准或者我们工程师为您推荐：国标、企标、国军标、非标、行标、国际标准等)
5、如果您想查看关于外部目检检测的报告模板，可以咨询工程师索要模板查看。
6、后期提供各种技术服务支持，完整的售后保障
以上是关于【外部目检检测】相关介绍，如果您还有其他疑问，可以咨询工程师提交您的需求，为您提供一对一解答。
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