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硅片测试

更新时间:2025-06-15  分类 : 其它检测 点击 :
检测问题解答

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cma资质(CMA)     iso体系(ISO) 高新技术企业(高新技术企业)

测试范围

硅片

测试项目

色差,厚度,机械强度,表面质量检测,晶圆测试,寿命评估等。

国标参考

GB/T 6616-2009半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法

GB/T 6617-2009硅片电阻率测定 扩展电阻探针法

GB/T 6618-2009硅片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T 6619-2009硅片弯曲度测试方法

GB/T 6620-2009硅片翘曲度非接触式测试方法

GB/T 6621-2009硅片表面平整度测试方法

GB/T 11073-2007硅片径向电阻率变化的测量方法

GB/T 12965-2018硅单晶切割片和研磨片

GB/T 13388-2009硅片参考面结晶学取向X射线测试方法

GB/T 14140-2009硅片直径测量方法

行标参考

JC/T 2065-2011太阳能电池硅片用石英舟

JC/T 2066-2011太阳能电池硅片用石英玻璃扩散管

SJ/T 11552-2015以布鲁斯特角入射P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量

SJ/T 11627-2016太阳能电池用硅片电阻率在线测试方法

SJ/T 11628-2016太阳能电池用硅片尺寸及电学表征在线测试方法

SJ/T 11629-2016太阳能电池用硅片和电池片的在线光致发光分析方法

SJ/T 11630-2016太阳能电池用硅片几何尺寸测试方法

SJ/T 11631-2016太阳能电池用硅片外观缺陷测试方法

SJ/T 11632-2016太阳能电池用硅片微裂纹缺陷的测试方法

SJ 20636-1997IC用大直径薄硅片的氧、碳含量微区试验方法

国际标准参考

BS ISO 14706-2000表面化学分析 用全反射X射线荧光(TXRF)分光术测定硅片的表面基本污染

BS ISO 14706-2000(R2007)表面化学分析 用全反射X射线荧光(TXRF)分光术测定硅片的表面基本污染

DIN 50441-4-1999半导体工艺用材料的检验.半导体圆片几何尺寸的测量.第4部分:硅片尺寸,直径、偏差、平面直径、平面长度、平面涤度

DIN 50441-5-2001半导体技术材料的检验.硅片几何尺寸的测定.第5部分:形状和平整度偏差术语

ISO 17331 AMD 1-2010表面化学分析 从硅片加工基准材料的表面上收集元素的化学方法及其通过全反射X射线荧光光谱(TXRF)的测定

ISO 17331-2004表面化学分析 从硅片加工基准材料的表面上收集元素和化学方法及其通过总反射X射线荧光(TXRF)分光光度法的测定

ISO 17331-2004/Amd 1-2010表面化学分析 从硅片加工基准材料的表面上收集元素的化学方法及其通过全反射X射线荧光光谱(TXRF)的测定

JIS H0602-1995硅单晶及硅片电阻率测定方法-四探针法

JIS H0613-1978硅片及磨光硅片的外观检查

JIS H0614-1996镜面硅片外观检查

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试望见谅。

检测须知

1、周期(一般实验需要7-15个工作日,加急一般是5个工作日左右,毒理实验以及降解实验周期可以咨询工程师)

2、费用(免费初检,初检完成以后根据客户的检测需求以及实验的复杂程度进行实验报价)

3、样品量(由于样品以及实验的不同,具体样品量建议先询问工程师)

4、标准(您可以推荐标准或者我们工程师为您推荐:国标、企标、国军标、非标、行标、国际标准等)

5、如果您想查看关于硅片测试的报告模板,可以咨询工程师索要模板查看。

6、后期提供各种技术服务支持,完整的售后保障

以上是关于【硅片测试】相关介绍,如果您还有其他疑问,可以咨询工程师提交您的需求,为您提供一对一解答。

荣誉资质

实验仪器

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