晶圆二次离子质谱测试

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信息概要

晶圆二次离子质谱测试是一种高灵敏度的表面分析技术，专注于检测晶圆材料的元素成分、杂质分布和化学结构。该项目在半导体工业中具有重要作用，通过精确分析表面和界面化学成分，帮助确保材料质量、控制工艺污染、提高器件可靠性和性能。检测服务提供全面的数据支持，用于研发、生产监控和失效分析，保障产品符合行业标准和要求。

检测项目

元素浓度分析，杂质检测，掺杂分布，表面污染分析，界面分析，氧含量测定，碳含量测定，氢含量测定，氮含量测定，金属杂质分析，离子注入分布，薄膜厚度测量，化学成分 mapping，深度剖析，横向分布分析，定量分析，定性分析，同位素分析，痕量元素检测，缺陷分析，应力分析，晶体结构分析，电性参数关联，可靠性评估，寿命测试关联，失效分析，工艺监控，材料鉴定，污染源追踪，质量控制参数

检测范围

硅晶圆，砷化镓晶圆，氮化镓晶圆，碳化硅晶圆，锗晶圆，化合物半导体晶圆，绝缘体上硅晶圆，多晶硅晶圆，单晶硅晶圆，外延片，硅片，晶圆片，半导体器件，集成电路晶圆，微机电系统晶圆，光电器件晶圆，功率器件晶圆，存储器晶圆，处理器晶圆，传感器晶圆，太阳能电池晶圆，薄膜晶圆，纳米结构晶圆，异质结晶圆，超晶格结构，量子点晶圆，二维材料晶圆，柔性电子晶圆，生物芯片晶圆，先进封装晶圆

检测方法

静态二次离子质谱法：用于表面成分分析，样品损伤较小，保持完整性。

动态二次离子质谱法：通过离子溅射进行深度剖析，获取元素分布信息。

飞行时间二次离子质谱法：利用飞行时间质量分析，实现高分辨率测量。

磁 sector 二次离子质谱法：采用磁场质量分析，提高痕量元素检测灵敏度。

四极杆二次离子质谱法：使用四极杆质量过滤器，快速扫描适用于常规分析。

深度剖析二次离子质谱法：结合溅射过程，分析材料深度方向化学成分。

成像二次离子质谱法：提供元素空间分布图像，支持微观结构研究。

定量二次离子质谱法：通过标准样品校准，进行精确定量计算。

定性二次离子质谱法：识别未知化学成分，用于材料鉴定。

高分辨率二次离子质谱法：区分质量接近的离子，提升分析精度。

微量分析二次离子质谱法：检测极低浓度元素，适用于痕量分析。

表面二次离子质谱法：专注于表面层化学成分分析，避免体材料干扰。

体二次离子质谱法：分析整体材料成分，但以表面技术为主。

聚焦离子束二次离子质谱法：结合聚焦离子束，实现纳米级分辨率分析。

纳米二次离子质谱法：用于纳米尺度元素 mapping 和深度剖析。

检测仪器

二次离子质谱仪，飞行时间二次离子质谱仪，磁 sector 二次离子质谱仪，四极杆二次离子质谱仪，纳米二次离子质谱仪，聚焦离子束系统，离子枪，质量分析器，探测器，样品台，真空系统，电子中和器，离子源，数据采集系统，图像处理系统

注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试望见谅。