多晶硅检测

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信息概要

多晶硅检测依据国家标准《GB/T 24584-2009 多晶硅 化学分析方法》进行，该标准发布于2009年10月15日，目前尚未废止。检测涵盖多晶硅产品的主要化学成分、物理性能、杂质含量等核心指标，确保其符合光伏、半导体等工业应用的要求。

检测项目

总金属杂质含量, 碳含量, 氧含量, 氮含量, 电阻率, 载流子寿命, 晶粒尺寸, 表面污染物, 密度, 熔点, 电导率, 少子寿命, 表面粗糙度, 晶界缺陷, 总缺陷浓度, 氢含量, 氯含量, 硼含量, 磷含量, 硫含量

检测范围

太阳能级多晶硅, 电子级多晶硅, 冶金级多晶硅, 颗粒状多晶硅, 块状多晶硅, 锭状多晶硅, 片状多晶硅, 高纯多晶硅（11N）, 中纯多晶硅（9N）, 掺镓多晶硅, 掺铝多晶硅, 棒状多晶硅, 铸造多晶硅, 直拉法多晶硅, 流化床法多晶硅, 西门子法多晶硅, 区熔多晶硅, 回收多晶硅, 薄膜太阳能用多晶硅, 半导体衬底用多晶硅

检测方法

电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS）：用于痕量金属杂质定量分析。

辉光放电质谱法（GDMS）：深度分析材料内部杂质分布。

傅里叶变换红外光谱法（FTIR）：测定碳、氧等非金属杂质含量。

四探针电阻率测试法：测量多晶硅电学性能。

霍尔效应测试法：分析载流子浓度及迁移率。

微波光电导衰减法（μ-PCD）：测定少子寿命。

X射线衍射法（XRD）：分析晶体结构及晶粒尺寸。

扫描电子显微镜（SEM）：观察表面形貌及微观缺陷。

透射电子显微镜（TEM）：检测晶界及原子级缺陷。

X射线荧光光谱法（XRF）：快速筛查表面元素组成。

气体分析仪：测定氢、氯等气体杂质含量。

热重分析法（TGA）：评估材料热稳定性及挥发物含量。

激光粒度分析法：测量颗粒状多晶硅粒径分布。

原子力显微镜（AFM）：量化表面粗糙度参数。

金相显微镜法：观察晶界缺陷及宏观结构。

检测仪器

电感耦合等离子体质谱仪, 辉光放电质谱仪, 傅里叶变换红外光谱仪, 四探针电阻率测试仪, 霍尔效应测试系统, 微波光电导衰减仪, X射线衍射仪, 扫描电子显微镜, 透射电子显微镜, X射线荧光光谱仪, 气体分析仪, 热重分析仪, 激光粒度分析仪, 原子力显微镜, 金相显微镜, 密度计, 电导率测试仪, 气相色谱仪, 熔点测定仪, 少子寿命测试系统

注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试望见谅。