离子注入挂壁检测

(CMA)     (ISO) (高新技术企业)

信息概要

检测项目

离子注入剂量（测量注入到晶圆表面的离子总量），注入深度（分析离子在材料中的渗透深度），均匀性（评估离子注入在晶圆表面的分布均匀程度），角度偏差（检测离子束入射角度的准确性），挂壁污染（识别附着在腔体壁上的残留物），表面粗糙度（测量注入后晶圆表面的微观形貌变化），元素成分（分析注入离子的种类和纯度），掺杂浓度（量化掺杂原子的分布情况），缺陷密度（检测注入导致的晶格缺陷），电活性（评估注入离子的电学性能），薄层电阻（测量注入区域的电阻值），载流子浓度（分析自由载流子的分布），界面态密度（评估注入区域与基底的界面质量），应力分布（检测注入引起的材料应力变化），结晶性（分析注入后材料的晶体结构完整性），二次离子质谱（用于痕量元素检测），横向扩散（评估注入离子的横向迁移范围），纵向扩散（分析注入离子的纵向渗透深度），热稳定性（测试注入区域在高温下的性能变化），氧化速率（测量注入区域的氧化行为），蚀刻速率（评估注入区域的化学蚀刻特性），界面粘附性（检测注入层与基底的结合强度），光学特性（分析注入区域的光学性能变化），机械性能（评估注入区域的硬度或弹性模量），化学稳定性（测试注入区域的耐腐蚀性），辐射损伤（检测离子注入导致的辐射效应），杂质含量（量化非目标掺杂物的浓度），颗粒污染（识别表面附着的外来颗粒），表面电势（测量注入区域的表面电势分布），迁移率（评估载流子的迁移能力）。

检测范围

硅晶圆离子注入，碳化硅离子注入，砷化镓离子注入，磷离子注入，硼离子注入，锑离子注入，氮离子注入，氧离子注入，氢离子注入，氦离子注入，氟离子注入，铝离子注入，镓离子注入，铟离子注入，锗离子注入，锡离子注入，钛离子注入，铜离子注入，金离子注入，银离子注入，铂离子注入，钯离子注入，镍离子注入，钴离子注入，铁离子注入，锌离子注入，镁离子注入，钙离子注入，铍离子注入，锂离子注入。

检测方法

二次离子质谱法（通过溅射和质谱分析表面成分），四探针法（测量薄层电阻和载流子浓度），霍尔效应测试（分析载流子迁移率和浓度），X射线衍射（评估晶体结构和应力分布），透射电子显微镜（观察微观缺陷和界面特性），扫描电子显微镜（分析表面形貌和颗粒污染），原子力显微镜（测量表面粗糙度和机械性能），卢瑟福背散射谱（定量分析元素深度分布），椭偏仪（检测光学特性和薄膜厚度），热波法（评估热扩散性能），傅里叶变换红外光谱（分析化学键和杂质状态），俄歇电子能谱（表面元素成分和化学态分析），光致发光谱（评估半导体材料的发光特性），电容-电压测试（测量界面态密度和掺杂分布），电流-电压测试（分析电学性能和缺陷密度），深能级瞬态谱（检测深能级缺陷），化学蚀刻法（评估蚀刻速率和表面质量），X射线光电子能谱（表面元素化学态分析），拉曼光谱（研究晶格振动和应力分布），热重分析（测试材料的热稳定性）。

检测仪器

二次离子质谱仪，四探针测试仪，霍尔效应测量系统，X射线衍射仪，透射电子显微镜，扫描电子显微镜，原子力显微镜，卢瑟福背散射谱仪，椭偏仪，傅里叶变换红外光谱仪，俄歇电子能谱仪，光致发光谱仪，电容-电压测试仪，电流-电压测试仪，深能级瞬态谱仪。

注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试望见谅。