氮化铝镓材料杂质分析（氧/碳/硅）

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信息概要

氮化铝镓材料杂质分析（氧/碳/硅）是针对半导体及光电材料中关键杂质元素的检测服务。氮化铝镓（AlGaN）作为第三代半导体材料，广泛应用于高功率电子器件、紫外光电器件等领域。材料中的氧、碳、硅等杂质会显著影响其电学性能和器件可靠性，因此精准检测这些杂质含量对材料质量控制、工艺优化及产品性能提升至关重要。本检测服务通过先进的分析技术，为客户提供高灵敏度、高准确度的杂质含量数据，助力研发与生产。

检测项目

氧含量，碳含量，硅含量，杂质分布均匀性，表面污染浓度，体材料杂质浓度，掺杂效率，缺陷密度，晶体结构完整性，化学计量比，元素价态分析，杂质结合状态，深度分布分析，横向分布分析，热稳定性，电学性能关联分析，光学性能关联分析，杂质扩散系数，界面杂质聚集，材料纯度等级

检测范围

AlGaN外延片，AlGaN衬底，AlGaN薄膜，AlGaN纳米线，AlGaN量子阱，AlGaN异质结，AlGaN器件晶圆，AlGaN功率器件，AlGaN紫外LED，AlGaN激光二极管，AlGaN HEMT，AlGaN光电探测器，AlGaN传感器，AlGaN模板，AlGaN缓冲层，AlGaN掺杂材料，AlGaN复合结构，AlGaN基板，AlGaN蚀刻样品，AlGaN退火样品

检测方法

二次离子质谱法（SIMS）：通过离子溅射逐层分析杂质深度分布

辉光放电质谱法（GD-MS）：测定体材料中痕量杂质元素含量

傅里叶变换红外光谱（FTIR）：检测材料中特定杂质分子的振动吸收

卢瑟福背散射谱（RBS）：定量分析轻元素杂质及深度分布

X射线光电子能谱（XPS）：表征表面杂质化学态及浓度

飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS）：高分辨率表面杂质成像

电感耦合等离子体质谱（ICP-MS）：溶液法测定材料溶解后杂质总量

阴极荧光光谱（CL）：关联杂质与材料发光缺陷

原子力显微镜（AFM）：观察杂质导致的表面形貌变化

透射电子显微镜（TEM-EDS）：纳米尺度杂质定位与成分分析

拉曼光谱：通过声子模式变化间接反映杂质影响

热脱附谱（TDS）：测定材料中杂质气体的释放特性

霍尔效应测试：建立杂质浓度与载流子浓度的关系

深能级瞬态谱（DLTS）：分析杂质引入的能级缺陷

光致发光谱（PL）：评估杂质对材料光学性能的影响

检测仪器

二次离子质谱仪，辉光放电质谱仪，傅里叶变换红外光谱仪，卢瑟福背散射谱仪，X射线光电子能谱仪，飞行时间二次离子质谱仪，电感耦合等离子体质谱仪，阴极荧光光谱系统，原子力显微镜，透射电子显微镜，能量色散X射线谱仪，拉曼光谱仪，热脱附谱仪，霍尔效应测试系统，深能级瞬态谱仪

注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试望见谅。