电子背散射衍射（EBSD）

(CMA)     (ISO) (高新技术企业)

信息概要

电子背散射衍射（EBSD）是一种用于材料微观结构分析的高分辨率技术，通过检测电子束与样品相互作用产生的背散射衍射花样，获取晶体取向、晶界分布、相组成等关键信息。该技术广泛应用于金属、陶瓷、半导体等材料的研发与质量控制中。检测的重要性在于其能够提供材料的微观结构特征，帮助优化生产工艺、提高材料性能，并确保产品符合行业标准与规范。

检测项目

晶体取向分析，晶界分布统计，相组成鉴定，晶粒尺寸测量，织构分析，应变分布评估，残余应力分析，位错密度计算，孪晶界识别，取向差角分布，晶界特性表征，相变行为研究，微观组织演化分析，晶体缺陷检测，晶粒生长动力学研究，取向相关性分析，多相材料界面分析，晶体结构验证，局部取向变化评估，材料各向异性研究

检测范围

金属材料，陶瓷材料，半导体材料，复合材料，纳米材料，薄膜材料，合金材料，单晶材料，多晶材料，功能材料，磁性材料，超导材料，高温材料，生物材料，地质材料，聚合物材料，涂层材料，电子材料，光学材料，能源材料

检测方法

电子背散射衍射花样采集：通过扫描电子显微镜（SEM）获取样品的衍射花样。

晶体取向映射：利用EBSD软件生成样品的晶体取向分布图。

晶界分析：通过取向差计算识别晶界类型与分布。

相鉴定：结合能谱仪（EDS）数据确定材料相组成。

织构分析：统计晶体取向分布，评估材料织构强度。

应变分析：通过花样质量或局部取向变化评估应变分布。

残余应力测量：基于衍射花样畸变计算残余应力。

晶粒尺寸统计：通过取向差阈值划分晶粒并计算尺寸。

位错密度估算：利用取向梯度与位错密度的关系进行计算。

孪晶界识别：通过特定取向差关系标记孪晶界。

多相材料界面分析：结合EDS与EBSD数据研究相界面特性。

晶体结构验证：通过衍射花样与标准数据库比对验证结构。

局部取向变化分析：评估微小区域的取向梯度变化。

材料各向异性研究：分析晶体取向与性能各向异性关系。

动态过程研究：结合原位EBSD技术观察微观结构演化。

检测仪器

扫描电子显微镜（SEM），电子背散射衍射探测器，能谱仪（EDS），EBSD数据处理软件，样品台控制器，真空系统，电子光学系统，探测器信号处理器，高灵敏度CCD相机，电子束聚焦系统，样品制备设备，图像分析系统，数据采集卡，计算机工作站，校准标准样品

注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试望见谅。