碳化硅晶圆电阻率检测

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信息概要

碳化硅晶圆作为第三代半导体材料的核心基础，其电阻率直接影响器件的导电性能与热稳定性。电阻率检测是评估晶圆质量的关键环节，通过精准测量可确保材料在功率半导体、射频器件等高要求场景中的可靠性。第三方检测机构依托专业设备与标准化流程，提供客观、可追溯的检测结果，为材料研发、生产及采购提供技术保障。

检测项目

体积电阻率,表面电阻率,载流子浓度,迁移率,电阻均匀性,掺杂浓度,晶界电阻,接触电阻,温度系数,击穿电压,漏电流,介电常数,热导率,晶体缺陷密度,表面粗糙度,晶向偏差角,厚度公差,翘曲度,弯曲强度,化学稳定性

检测范围

4H-SiC晶圆,6H-SiC晶圆,15R-SiC晶圆,N型掺杂晶圆,P型掺杂晶圆,半绝缘型晶圆,高纯度晶圆,光学级晶圆,功率器件用晶圆,射频器件用晶圆,高温器件用晶圆,高电压器件用晶圆,低缺陷密度晶圆,异质结晶圆,复合掺杂晶圆,纳米结构晶圆,多孔碳化硅晶圆,退火处理晶圆,外延生长基片,特种涂层晶圆

检测方法

四探针法（接触式测量体电阻率）,范德堡法（薄膜电阻均匀性分析）,霍尔效应测试（载流子浓度与迁移率测定）,电容-电压法（掺杂分布检测）,热探针法（导电类型快速识别）,微波反射法（非接触电导率测量）,光致发光光谱（缺陷与杂质分析）,拉曼光谱（晶体结构表征）,X射线衍射（晶格畸变检测）,扫描电子显微镜（表面形貌观察）,原子力显微镜（纳米级粗糙度测量）,热阻分析（界面热传导性能评估）,漏电流测试（绝缘性能验证）,击穿电压测试（耐压极限检测）,高温老化测试（稳定性模拟）

检测仪器

四探针电阻率测试仪,霍尔效应测量系统,电容电压分析仪,激光拉曼光谱仪,X射线衍射仪,扫描电子显微镜,原子力显微镜,微波阻抗分析仪,紫外可见分光光度计,热导率测试平台,漏电流测试系统,高压击穿测试仪,高温真空老化箱,接触角测量仪,台阶仪

注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试望见谅。