锗单晶片检测

(CMA)     (ISO) (高新技术企业)

检测范围

锗单晶片的检测范围主要包括其物理性能、电学性能、光学性能及化学纯度等方面。检测对象涵盖不同直径（如2英寸、4英寸、6英寸等）和厚度的锗单晶片，适用于半导体器件、红外光学元件及太阳能电池等领域。

检测项目

1. 物理性能：

   • 晶格缺陷（位错、层错等）
   • 表面平整度与粗糙度
   • 晶向偏差（晶体生长方向与理论方向的角度差异）
   • 几何尺寸（直径、厚度、翘曲度）

2. 电学性能：

   • 电阻率（体电阻率与表面电阻率）
   • 载流子浓度与迁移率
   • 少数载流子寿命

3. 光学性能：

   • 红外透过率（波长范围2-16 μm）
   • 折射率均匀性
   • 表面反射率

4. 化学纯度：

   • 杂质元素含量（如硼、铝、铁、铜等）
   • 氧、碳等非金属杂质浓度

检测仪器

1. 物理性能检测：

   • X射线衍射仪（XRD）：用于晶格缺陷和晶向分析。
   • 原子力显微镜（AFM）或白光干涉仪：测量表面粗糙度。
   • 激光测径仪与厚度仪：精确测定几何尺寸。

2. 电学性能检测：

   • 四探针电阻测试仪：测量电阻率。
   • 霍尔效应测试系统：分析载流子浓度与迁移率。
   • 微波光电导衰减仪（μ-PCD）：评估少数载流子寿命。

3. 光学性能检测：

   • 傅里叶变换红外光谱仪（FTIR）：测定红外透过率与折射率。
   • 椭偏仪：分析表面反射率与光学均匀性。

4. 化学纯度检测：

   • 二次离子质谱仪（SIMS）或辉光放电质谱仪（GDMS）：检测痕量杂质元素。
   • 气相色谱-质谱联用仪（GC-MS）：分析氧、碳等非金属杂质。

检测方法

1. 晶格缺陷检测：

   • 采用X射线劳厄法或双晶衍射法，通过衍射斑点分布判断位错密度。
   • 腐蚀法（如CP4腐蚀液）结合光学显微镜观察表面缺陷形貌。

2. 电阻率测试：

   • 四探针法：在恒定电流下测量电压降，依据公式计算电阻率（ASTM F43标准）。

3. 红外透过率测试：

   • 使用FTIR光谱仪，在真空或惰性气体环境中扫描2-16 μm波段，计算平均透过率（参考GB/T 13301标准）。

4. 杂质元素分析：

   • SIMS法：通过离子束轰击样品表面，检测溅射离子的质荷比，定量分析杂质浓度（检测限可达ppb级）。

5. 表面粗糙度测量：

   • AFM接触式扫描或白光干涉非接触式扫描，获取表面三维形貌数据（ISO 4287标准）。

6. 载流子参数测定：

   • 霍尔效应法：在垂直磁场中测量样品的霍尔电压与电阻率，结合范德堡公式计算载流子浓度及迁移率。

以上内容严格遵循半导体材料检测通用规范（如SEMI、ASTM）及锗单晶片行业标准。

注意：因业务调整，暂不接受个人委托测试望见谅。